一般信息
数据列表 NTA4001N;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 238mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 20pF @ 5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Tj）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 10mA，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-75，SOT-416
封装/外壳 SC-75，SOT-416
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