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IKW50N60H3

2018-8-30 11:19:00
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司,0755-82708963张小姐

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 2.25 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 100 A

Pd-功率耗散: 333 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: HighSpeed 3

封装: Tube

集电极最大连续电流 Ic: 50 A

高度: 20.7 mm

长度: 15.87 mm

宽度: 5.31 mm

商标: Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

资格: AEC-Q100

工厂包装数量: 240

商标名: TRENCHSTOP

零件号别名: IKW50N60H3FKSA1 IKW5N6H3XK SP000852244

单位重量: 38 g

供应商

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    深圳市鑫欧美电子有限公司

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