制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 428 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
封装: Tube
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
资格: AEC-Q100
工厂包装数量: 240
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKW75N60H3FKSA1 IKW75N6H3XK SP000906806
