深圳市骏创达科技有限公司

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地址：深圳市福田区上步工业区501栋4楼412室

标准包装： 1

类别： 分立式导体产品

家庭： FET - 单

系列： -

包装： 剪切带 (CT)

FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能： 逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)： 30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 13.7A （Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10.5 毫欧 @ 13.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 36nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 4050pF @ 15V

功率 - 最大值： 3.1W

安装类型： 表面贴装

封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

其它名称： 785-1287-1

本公司长期供应以下型号，大量现货，欢迎广大客户，来电咨询！

AP2162ASG-13

AP2172AFGEG-7

AP2181DFMG-7

AP2181SG-13

AP2182AFGEG-7

AP2191DSG-13

AP2191MPG-13

AP2191WG-7

AP2204K-ADJTRG1

AP2210K-3.3TRE1

AP2213D-3.3TRE1

AP22T03GH-HF

AP2301GN

AP2301N

AP2302DTR-E1

AP2302N