华邦电董事长焦佑钧昨日(9/25)与科技部长陈良基、高雄市长陈菊共同举行记者会,宣布华邦电将进驻南科高雄园区,投资3,300 亿元设立12 吋晶圆记忆体厂,预计于2020 年量产,为高雄十多年来最大的单一投资案,预期所产生的产业群聚效应,将使高雄半导体产业趋完整。
焦佑钧表示,华邦电未来15 年将投资3,300 亿元,打造7 万至8 万片晶圆产能,预计2020 年将率先导入20~25 纳米技术量产,且未来将有机会进入14 纳米或更先进技术。而该厂也将创造高雄在地人才就业,预估将招聘2,500 位高阶人才。
华邦电高雄厂需25 公顷土地,高雄市府已提出高雄科学园区增设第二园区的需求。科技部长陈良基指出,产业聚落很重要,将会考量综效,协助产业布局,管理局会将未来十年的土地、水电、空污都纳入考量,也需要市府协助,并希望高雄的大学院校能配合产业和科技发展,成为科学园区尖端的人才库。
台湾最大的DRAM厂
华邦电子股份有限公司于1987年九月由华新丽华集团转投资成立,为自有品牌IC设计及制造厂商,并为全世界第五大DRAM供应商。
公司分快闪记忆体 IC、DRAM产品及记忆IC制造等三大事业群。快闪记忆体IC产品专注于微控制器消费性产品、语音IC、多媒体IC、及电脑逻辑产品,如输出入控制IC、笔记型电脑键盘控制器(KBC);记忆体产品则有Commodity DRAM、 Pseudo SRAM、Low -power DRAM、利基型DRAM、及NOR Flash。为台湾少数拥有晶圆厂的集成电路设计公司,同时也是全球利基型记忆体的主要供应商。
作为岛内最大的DRAM 厂,华邦电目前仅有中科的一座12 吋厂。2016 年的年产能约4.3 万片,2017 年年底将扩增至4.8 万片,2018 年底则扩增到5.3 万片。未来,最大的扩充能量最大到5.5 万片时就已经将当前台中厂的剩余空间给全部用光。因此,面对未来的营运成长,兴建新厂成为不得不做的准备。在相关人员查看过南科路竹基地的土地之后,希望可以取得25 公顷规模来建厂,于是华邦电在2017 年6 月底向经济部补件递交计划书,现在终于获得相关单位的同意。
华邦电表示,目前公司正致力于转型为利基型记忆体解决方案供应商,近年持续稳定获利,转型效益显著。华邦在营运成长之际,随着物联网等未来趋势之新兴需求不断崛起,寻求下一阶段成长契机,秉持重视台湾在地投资的理念,向园区提出投资设立新厂案,希望进一步深耕台湾产业发展。未来将依董事会通过时程公告建厂及产能规划相关事宜,亦密切观察市场动态与供需情况,以稳健脚步审视产能配置,期以充沛产能满足客户需求。
华邦电现有技术分析
华邦电主要产品为Nor Flash、利基型DRAM、Mobile RAM。2017年Q1,公司产品比重Specialty占比为44%,Mobile RAM占15%、NOR Flash占41%。应用比重方面,通讯电子占32%,电脑占24%,消费性电子占26%,车用及工业用占18%。
从工艺上看分布,Specialty记忆体方面,46 纳米占90%,65纳米占10%。
Mobile RAM方面,90纳米占2%,65纳米占31%,46纳米占67%。
NOR Flash方面,90纳米占35%,58纳米占52%,46纳米占13%。
(1)NOR Flash产品:华邦电微Serial Nor Flash制造商,与旺宏同为全球最大供应商,主要应用于手机Feature Phone、PC(BIOS Code的储存)及消费性产品(STB及TV)等中低密度记忆体需求(512Kb~512Mb)的产品。2013年从Serial Flash扩展到Code Storage Flash,应用范围涵盖4C产品。
(2)DRAM产品:包括有利基型DRAM、Mobile DRAM 及Low Power DRAM 等,主要应用于手机(SP 的照相模组)、PC、网通及TV 等产品(包括有16Mb~2Gb 的SDR、DDR、 DDR2 及DDR3 等) 。
(3)Mobile RAM的部分,分为Pserudp及Low power,公司以Pseudo RAM为主,聚焦手持电子装置,主要供货给欧美厂商,密度Low Power DRAM应用于智能手机,用于相机模组等非主记忆体应用。主要客户有Micron与Spansion等。截至2013年第4季Pesudo及Low power比重为33%、67%。
公司积极发展利基型及手机用DRAM;在NOR Flash产品上则聚焦于中低容量市场。
DRAM价格会重演上世纪的崩盘么?
从去年下半年到现在,DRAM价格一路狂飙,市调机构IC Insights曾悲观地预计,年底前,DRAM颗粒价格还会有40%的暴涨。这就促使厂商在这个市场有所行动。
韩媒 etnews 报导,韩国存储器大厂 SK 海力士(SK hynix)26 日表示,今年将斥资 86.1 亿美元(约 9.6 万亿韩元),进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出 37%,也比该公司去年的设备投资总额高出 53%。
SK 海力士撒钱,是想让新厂提前完工。该公司主管 Lee Myung-young 说,生产 DRAM 的中国无锡厂和生产 NAND Flash 的韩国清州(Cheongju)厂,原定完工时间是 2019 年上半,如今将提早至 2018 年第四季,比预定时间提早半年。
SK 海力士强调,新厂落成后,存储器产出不至于暴增,估计 DRAM 和 NAND Flash 产能只会增加 3~5%,呼吁市场放心。业界人士认为,这是因为资金多用于技术升级。
韩媒 BusinessKorea 表示,三星斥资 10 兆韩元(约 87 亿美元)扩充 DRAM 产能,预定两年后完工。
然而韩国先驱报说法不同,先驱报称,半导体界透露,三星正在评估年度投资计划,有意在韩国华城(Hwaseong)的 17 号厂内部增加产线,并在 17 号厂旁边另盖新工厂。外界对于新产能用途看法不一,有人认为三星会增产DRAM、也有人说要生产系统半导体。
三星发言人表示,目前为时过早,无法确认投资计划和新产线用途,详细内容敲定后,会在本月底或 4 月初宣布。
各方看法不一,可能由于华城厂产线多元,17 号厂兴建之初只生产系统芯片,但是三星两度扩建 17 号厂,增加了 DRAM 和 3D NAND 产线,这次扩产目的难以判断。有人猜测,17 厂内部的新增产线可能用于生产 10 纳米系统芯片、新工厂则生产 7 纳米系统芯片。
三星扩产对象还不明朗,就算三星真的扩产 DRAM,Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 信心喊话,指出光是扩产宣言不至于动摇市场,需求才是观察重点。
这次华邦电也扩产。
虽然三星和SK海力士都声称不会对价格造成影响。但这些玩家的持续投资,让编者想起了上个世纪的DRAM争夺战。在各大公司的持续投入下,DRAM 价格从1984 年初的4 美元/片一路下滑到1985 年的30 美分/片。最后直接导致美国一大批公司退出这个市场,让DRAM市场花了很长一段时间才恢复元气。
这次的投资生产会否重演之前的“悲剧”,那就是这些厂商着重考虑的问题了。
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