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·深紫外LED芯片技术再获关键突破
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布局LED封装，国星扩充Mini LED产能
12月8日，国星光电发布公告称，公司于近日完成全部约82亩地块的土地权属证书办理工作，并取得了佛山市自然资源局颁发的《中华人民共和国不动产权证书》。
根据公告显示，早在2019年年11月27日，国星光电就已宣布，以自有资金不超过7000万元竞拍位于佛山市禅城区南庄镇的约82亩工业用地使用权。
对于本次取得的土地使用权，国星光电表示，主要是用于吉利产业园项目的建设，布局先进的LED封装及应用生产线，重点扩充Mini LED、小间距、TOP LED等产品的产能规模，有助于持续提升公司综合体量和竞争实力，对公司的中长期发展带来积极影响。
深紫外LED芯片技术再获关键突破
11月17日，山西省科技厅半导体与新材料科技处赴山西省长治市中科潞安紫外光电科技有限公司，对山西省重大专项“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目进行了现场跟踪服务。专家组对已完成工作详细审核和质询后认为，该项目完成了预期指标，取得了阶段性进展和关键技术突破。
据介绍，项目团队按照计划开展各项研发工作，系统研究了氮化铝模板材料的制备工艺，提出了高效P型掺杂新方法，突破了极化诱导掺杂、溅射退火氮化铝模板和基于芯片微纳结构的高效光提取等关键技术，深紫外LED芯片的出光效率大幅提升。
经第三方检测，制备的深紫外LED灯珠发光波长小于275nm，内量子效率达到48.13%，光功率达到46.39mW，实现了深紫外LED芯片、灯珠及应用产品批量化生产和销售。
目前，项目组开发的高效芯片已广泛应用于长治市高铁站、机场等示范工程，取得了良好的经济和社会效益，并制定了《消毒用UVC LED术语与定义》等五项标准。
此外，相关成果还通过了中国电子学会组织的科技成果评价，评价委员会认定该成果研制难度大，创新性强，应用效果显著，建议在公共安全和疫情防控等领域广泛应用。
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