STB6NK60Z 6A10V TO262 N沟道 MOS管 晶体管 ST/意法
一般信息
数据列表 STx6NK60Z(FP-1);
标准包装 50
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 SuperMESH™
其它名称 497-5955-5
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 905pF @ 25V
Vgs（最大值） 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 110W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 3A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 I2PAK
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
制造商： STMicroelectronics 最小包装量： 1PCS
封装： I2PAK 包装： Tube
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： STB6NK60Z-1 Series N-Channel 600 V 1.2 Ohm SuperMESH?Power MosFet - I2PAK
参数 数值
功率 - 最大值 110W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 905pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 46nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 100µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.2 Ohm @ 3A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 6A (Tc)
漏源极电压 (Vdss) 600V
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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