STB10NK60Z ST/意法 600V 10A TO263 MOSFET N沟道.
制造商： STMicroelectronics 最小包装量： 1PCS
封装： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
参数 数值
系列 SuperMESH™
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
功率 - 最大值 115W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1370pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 70nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 750 mOhm @ 4.5A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 600V.
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
电话：0755-23940365
传真：0755-88600656
手机：13590334401
QQ：3343956557
地址：深圳市福田区华强北都会轩1913
