新资讯：来自Toshiba的新产品：TPH1R712MD,L1Q;TPN4R712MD,L1Q P-Channel MOSFETs product offering features P-channel power MOSFETs for load switching in ultra-portable mobile computing devices and battery protection circuits for large capacity batteries. Developed using advanced trench-gate processes and packaging technologies, the P-channel MOSFETs are optimized to provide low on-resistance. These low on-resistance power MOSFETs also offer high current ratings, low capacitance, and high permissible power dissipation within a small form factor to meet the lower voltage and lower power requirements of system power supplies in portable electronics applications. The offering includes a lineup of low voltage, 1.5V operation devices with industry-leading on-resistance for applications with current ratings ranging from 1.0A to 5.0A.
库存：5600PCS 产品生产批次：1703+
产品特性如下：
Low drain-source on-resistance
Low leakage current
Low voltage operation
Current ratings ranging from 1.0A to 5.0A
产品主要应用：
Load switching in mobile handsets, digital cameras, portable audio players and other portable electronic devices
Lithium-Ion Secondary Batteries
Power Management Switches
TPH1R712MD,L1Q规格参数如下：
产品种类: MOSFET
制造商: Toshiba
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-Advance-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Id-连续漏极电流: - 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 182 nC
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Toshiba
下降时间: 27 ns
高度: 0.95 mm
长度: 5 mm
Pd-功率耗散: 78 W
上升时间: 14 ns
系列: TPH1R712MD
工厂包装数量: 5000
典型关闭延迟时间: 1620 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
宽度: 5 mm
TPN4R712MD,L1Q规格参数如下：
产品种类: MOSFET
制造商: Toshiba
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSON-Advance-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Id-连续漏极电流: - 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Toshiba
下降时间: 145 ns
高度: 0.85 mm
长度: 3.1 mm
Pd-功率耗散: 42 W
上升时间: 11 ns
系列: TPN4R712MD
工厂包装数量: 5000
典型关闭延迟时间: 443 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 3.1 mm
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