IRFS3006 N沟道 MOS管 60V 120A TO-220 IR
一般信息
数据列表 IRFB3206PbF, IRFS(L)3206PbF;
标准包装 50
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6540pF @ 50V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 75A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
制造商： International Rectifier 最小包装量： 1PCS
封装： TO-220-3 包装： Tube
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
参数 数值
系列 HEXFET®
封装/外壳 TO-220-3
功率 - 最大值 300W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6540pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 170nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 mOhm @ 75A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 60V
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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