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IGW75N60T

2017-6-28 8:40:00
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司,0755-82708963张小姐

产品种类: IGBT 晶体管

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 详细信息

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.9 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 150 A

Pd-功率耗散: 428 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: IGW75N60

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

集电极最大连续电流 Ic: 75 A

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

高度: 20.9 mm

长度: 15.9 mm

工厂包装数量: 240

技术: Si

宽度: 5.3 mm

零件号别名: IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TXK SP000054927

单位重量: 38 g