STB300NH02L 24V 120A TO263 ST/意法 N沟道 MOS管
制造商： STMicroelectronics 最小包装量： 1000PCS
封装： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
参数 数值
系列 STripFET™
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
功率 - 最大值 300W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 7055pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 109.4nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.8 mOhm @ 80A, 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 24V
一般信息
数据列表 ST(B,P)300NH02L;
标准包装 1,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 STripFET™
其它名称 497-7945-2
STB300NH02L-ND
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 109.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7055pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.8 毫欧 @ 80A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
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