制造商： Fairchild Semiconductor 最小包装量： 2500PCS

封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装： Tape & Reel (TR)

类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合

产品描述： MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK

参数 数值

系列 PowerTrench®

封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

功率 - 最大值 1.6W

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 710pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 9nC @ 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 32 mOhm @ 8A, 4.5V

FET 功能 Logic Level Gate

FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

漏源极电压 (Vdss) 20V

一般信息

数据列表 FDD6530A;

标准包装 2,500

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 PowerTrench®

其它名称 FDD6530A-ND

FDD6530ATR

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 710pF @ 10V

Vgs（最大值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.3W（Ta），33W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 32 毫欧 @ 8A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-252

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

联系方式 ：

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

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