一般信息
数据列表 AON7400A;
DFN3x3-8L Pkg Drawing;
标准包装 5,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 785-1301-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1380pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-DFN（3x3）
封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线
制造商： AOS 最小包装量： 5000PCS
封装： DFN 3x3 EP 包装： Tape&Reel
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFETS
参数 数值
栅极电压 (±V) 20
功率 - 最大值 25W
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 40A
漏源极电压 (Vdss) 30V
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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