制造商： International Rectifier 最小包装量： 800PCS
封装： D2PAK 包装： REEL
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： Single P-Channel 55 V 110 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
参数 数值
功率 - 最大值 3.8W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 63nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 mOhm @ 16A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 31A (Tc)
漏源极电压 (Vdss) 55V
一般信息
数据列表 IRL3502S;
标准包装 50
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 *IRL3502S
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 140W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 64A，7V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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