NDS331N概述这些N沟道逻辑电平增强型功率场场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高密度， DMOS技术。这非常高的密度过程特别是针对减少通态电阻。这些装置特别适用于低电压在笔记本电脑中的应用程序，移动电话， PCMCIA卡，以及其他电池供电电路中快切换和低线的功率损耗，需要在非常小尺寸表面贴装封装。
特点1.3 A， 20 V řDS （ ON）= 0.21Ω@ VGS= 2.7 VRDS （ ON）= 0.16Ω@ VGS= 4.5 V.行业标准外形SOT- 23表面贴装封装使用poprietary SuperSOTTM-3设计卓越的热和电气性能。高密度电池设计极低RDS （ ON）.呈导通电阻和最大直流电流能力
