一般信息
数据列表 HGT(G,P)7N60A4D, HGT1S7N60A4DS;
标准包装 50
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 -
规格
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 34A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 56A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值 125W
开关能量 55µJ（开），60µJ（关）
输入类型 标准
25°C 时 Td（开/关）值 11ns/100ns
测试条件 390V，7A，25 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装 TO-263AB
参数 数值
系列 -
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
反向恢复时间 (trr) 34ns
测试条件 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Td (on/off) A 25°C 11ns/100ns
闸极电荷 37nC
输入类型 Standard
开关能量 55µJ (on), 60µJ (off)
功率 - 最大值 125W
电流 - 集电极脉冲 （Icm） 56A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V, 7A
IGBT 类型 -
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 34A
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
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