AO4813的特征：

VDS (V) = -30V

ID = -7.1 A (VGS = -10V)

RDS (ON) <25mΩ (VGS = -10V)

RDS (ON) <40mΩ (VGS = -4.5V)

AO4813的概述：

AO4813采用先进的沟槽技术，

提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。

该器件适用于负载开关或PWM应用。

标准产品AO4813是无铅（符合ROHS和Sony 259规格）。

AO4813L是绿色产品订购选项。

AO4813和AO4813L电气相同。

AO4813的绝对最大额定值TA = 25°C，除非另有说明：

AO4813的一般信息

数据列表 AO4813;

SO8 Pkg Drawing;

标准包装 3,000

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 -

其它名称 785-1058-2

AO4813的规格

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 7.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 15V

功率 - 最大值 2W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

企业网站：www.xjsic.com

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