深圳市瑞新盛科技有限公司
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QQ：1732328706 主营LED驱动IC，电源IC，MOS管等电子元件。
RT7304是LED恒流驱动的主动功率因数校正。RT7304它支持高功率因数在很宽的范围内的线电压，它驱动在准谐振变换器（QR）模式实现更高的效率。采用初级侧调节（PSR），的RT7304控制电流输出不准确并联调节器和在第二级上的光电耦合器侧，减少了外部元件数量，成本，和驱动板的体积。
RT7304嵌入的综合保护功能对于强大的设计，包括LED开路保护，LED短路保护，输出二极管短路保护，VDD欠压锁定（UVLO），VDD OverVoltage保护（VDD OVP），超温保护（OTP），和逐周期电流限制周期。
RT7304GE立奇立琦RICHTEK原装正品 大功率LED照明驱动IC
三强鼎立 高通、联发科、苹果角逐10 nm制程
高通、三星的10 nm芯片阵营中，骁龙835发布最早，也是迄今为止表现最为强势的芯片。之前，已有索尼XZP和三星S8共两款旗舰机型采用了这枚芯片，不过由于产能和良率的原因，这两款机型的备货尚不足以支持大面积发售，而国内厂商中，小米6已确认将会采用骁龙835，发布会也将于近期召开。
作为芯片业的霸主，高通长期以来维持庞大的研发投入，而10 nm节点耗费资金更大，这就促使高通将骁龙835打造成适用于多平台的计算核心，以达到物尽其用的目的。收购恩智浦之后，高通成为汽车电子新巨头，更希望骁龙835能凭借强大的性能和功耗控制，在未来智能车、物联网设备等上闯出一片新天地。除此以外，骁龙835也是首款满足谷歌VR平台Daydream的芯片，由此高通也成为移动VR产业颇具实力的竞争者。
RT7304特点：
紧调节LED电流没有Opto Coupler和TL431的要求
功率因数校正（PFC）准谐振
最大/最小开关频率夹紧最大/最小时间限制
宽VDD的电压范围（高达25V的）多重保护功能
LED开路保护LED短路保护
输出二极管短路保护VDD欠压锁定
VDD过压保护过温保护
逐周期电流限制符合RoHS和无卤
RT7304应用：交直流LED照明驱动器
瑞萨电子株式会社子公司Intersil今天宣布，推出五款同步降压稳压器--- ISL85014、ISL85012、ISL85009、ISL85005A和ISL85005，可将12V电源轨电压降低至0.6V的负载点输入电压，适用于MCU、FPGA、内存和外设I/O。ISL850xx系列的这五款最新降压稳压器分别提供14A、12A、9A和5A连续输出电流，以支持工业计算机和可编程逻辑控制器以及电信、测试测量、服务器和存储网络设备。
据Android Authority网站报道，英国埃克塞特大学科学家开发了一种基于石墨烯的新型存储解决方案，与传统闪存存储系统相比，这是一种成本更低、更环保的解决方案，具有速度超高、尺寸奇小、容量大、透明和柔性的特点。
英国埃克塞特大学科学家承诺，这种存储解决方案将为“未来电子产品的黄金时代奠定基础”。
Android Authority表示，对于可弯曲手机和智能服装来说，这种新型内存似乎是一种完美的解决方案，如果良率足够高，它完全能取代当前电子产品中的闪存。
研究人员称，与当前闪存相比，这种内存成本更低、适应性更强，具备“出色的耐用和保留性能”。
英国埃克塞特大学教授大卫·赖特(David Wright)指出，“利用氧化石墨烯生产内存的消息以前有过报道，但之前的技术通常尺寸大、速度慢，面向低端电子产品市场。相比之下，我们的氧化石墨烯-氧化钛混合内存，仅长50纳米，厚度为8纳米，读写时间低于5纳秒。”
Android Authority称，与类似大多数技术一样，新型内存大规模上市尚需数年时间，不过其前景似乎相当光明。鉴于柔性智能手机即将问世，柔性锂离子电池已经开发成功，我们相信三星和其他主要内存厂商将在近期投资这种新技术。
如今电池续航已经成为智能手机的最大短板，而各国科学家也在不断努力尝试解决这一问题。
近日，台湾清华大学化工系教授段兴宇所带领的团队宣布成功研发出一种基于“磷”的新型电池，能量密度大大提升。
据介绍，这种“磷电池”采用掺入碘的红磷纳米粒子制作而成，重量只有普通电池的1/6，但能量密度却增加了7倍!
