FDB2614 仙童代理商 TO-263 200V/62A PDF资料 场效应管 功率MOS管
FDB2614型号 FDB2614品牌 FDB2614封装 FDB2614年份 FDB2614备注
FDB2614 仙童 TO-263 16+ 原装正品
AO4430 AOS代理商 PDF资料 30V/18A SOP-8 场效应管 功率MOS管
FDB2614的PDF资料：
FDB2614的特征：
RDS（on）= 22.9mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 31 A
低门电荷
用于极低RDS（上）的高性能沟槽技术
大功率和电流传递能力
FDB2614的概述：
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体
先进的PowerTrench®工艺生产，
该工艺在保持优异的开关性能的同时，
极大地降低了导通电阻。
This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon-ductor’s
advanced PowerTrench® process that has been tai-lored to minimize
the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
FDB2614的应用：
同步整流
电池保护电路
电机驱动器和不间断电源
FDB2614的绝对最大额定值TC = 25°C，除非另有说明：
FDB2614的一般信息
数据列表 FDB2614;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerTrench®
其它名称 FDB2614TR
FDB2614的规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 99nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7230pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 260W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 27 毫欧 @ 31A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴小姐
电话：0755-23940365
传真：0755-88600656
手机：13590334401
QQ：2839095361
地址：深圳市福田区华强北都会轩4511
