详细介绍：
STB20NM50 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法 场效应管
型号 品牌 封装 备注
STB20NM50 ST/意法 TO-263 原装正品
一般信息
数据列表 STB20NM50(-1), STP20NM50(FP)
标准包装 1,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 MDmesh™
其它名称 497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND
规格
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 550V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1480pF @ 25V
功率 - 最大值 192W
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
深圳市轩嘉盛电子有限公司
SHENZHEN XUAN JIA SHENG ELE CO., LTD
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