详细介绍:
一般信息
数据列表 IRFR5410PbF, IRFU5410PbF
标准包装 2,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRFR5410PBFTR
IRFR5410TRPBF-ND
IRFR5410TRPBFTR-ND
SP001557100
规格
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 205 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 760pF @ 25V
功率 - 最大值 66W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装 D-Pak
深圳市轩嘉盛电子有限公司
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