FQB5N90产品技术参数：
通道类型 N
最大连续漏极电流 5.4 A
最大漏源电压 900 V
最大漏源电阻值 2.3 Ω
最小栅阈值电压 3V
最大栅源电压 ±30 V
封装类型 D2PAK
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 158 W
配置 单
高度 4.83mm
最高工作温度 +150 °C
典型输入电容值@Vds 1200 pF@ 25 V
典型关断延迟时间 65 ns
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 31 nC@ 10 V
每片芯片元件数目 1
长度 10.67mm
宽度 9.65mm
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
典型接通延迟时间 28 ns
FAIRCHILD/仙童：
FQPF4N60. FQP8P10. FQP47N06. FQP13N50. FQP47N06.
FDP2572. FDP2614. FDP20N50. FDP12N50. FDP5N25.
FDPF14N30. FDPF16N50. FDPF12N50. FDPF5N60. FDPF7N60.
FDD6530. FDD6670. FDD6680. FDD3670. FDD5680. FDD8870.
FQD10N20. FQD11P06. FQD13N10.FQD17N08. FQD3N60.
FQB19N20. FDB33N25. FDB33N10. FQB5N90. FQB8N60.
FQA11N90. FQA19N60. FQA20N60. FQA9N90. FQA6N90.
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