产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NEC
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 1.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
技术: Si
增益: 16 dB
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
商标: NEC/CEL
通道模式: Depletion
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 915 MHz
Pd-功率耗散: 20 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
