深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498 13538016218 QQ:531398920 朱先生
数据列表 BSC028N06NS
特色产品 Solutions for Embedded Systems
Data Processing Systems
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 30V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
