产品种类: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 14 ns
高度: 9.01 mm
长度: 10.41 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 74 W
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 6 g
