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NTLJD3115PT1G

2016-10-27 9:16:00
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司,0755-82708963张小姐

产品种类: MOSFET

制造商: ON Semiconductor

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DFN2020-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 20 V

Id-连续漏极电流: 3.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 106 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

通道模式: Enhancement

商标: ON Semiconductor

配置: Dual

下降时间: 13.2 ns, 15 ns

高度: 0.75 mm

长度: 2 mm

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 1.5 W

产品: MOSFET Small Signal

上升时间: 13.2 ns, 15 ns

系列: NTLJD3115P

工厂包装数量: 3000

晶体管类型: 2 P-Channel

典型关闭延迟时间: 13.7 ns, 19.8 ns

典型接通延迟时间: 5.2 ns, 5.5 ns

宽度: 2 mm