制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251AA-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 950 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9.5 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 50 W
上升时间: 2.5 ns
系列: CoolMOS C3
工厂包装数量: 1500
商标名: CoolMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 58.5 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000095850 SPU04N60C3BKMA1 SPU04N60C3XK
单位重量: 4 g
