制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Diodes Incorporated
配置: Single Dual Drain
下降时间: 2.1 ns
高度: 1.3 mm
长度: 3.1 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 2.1 ns
系列: ZXMN6A0
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 12.3 ns
典型接通延迟时间: 2.6 ns
宽度: 1.8 mm
单位重量: 15 mg
