0755-82545498 QQ:531398920 朱先生
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 64 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 10μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 4.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 388pF @ 25V
功率 - 最大值 1.3W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
