0755-82545498 QQ:531398920 朱先生
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 900mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 220 毫欧 @ 900mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 109pF @ 10V
功率 - 最大值 350mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
