IR2103S
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10〜 20V
欠压锁定
3.3V ， 5V和15V逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
内部设置死区时间
高侧输出同相输入HIN
低侧输出的相位与LIN输入
描述
该IR2103 （ S）是高电压，高转速动力MOSFET和IGBT驱动器与依赖高低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使rug-gedized单片式结构。逻辑输入是IR2103与标准CMOS或LSTTL输出兼容，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮置沟道可以用于开车在工作频率高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量在船上安装和静止空气条件。
