CSD17308Q3 深圳市凌涵科技有限公司

2016-3-18 10:18:00
  • 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息 商标: Texas Instruments 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: VSON-Clip-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 13 A Rds On-漏源导通电阻: 9.4 mOhms Vgs - 栅极-源极

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息

商标: Texas Instruments

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSON-Clip-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V

Qg-栅极电荷: 3.9 nC

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

配置: Single

下降时间: 2.3 ns

正向跨导 - 最小值: 37 S

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 2.7 W

上升时间: 5.7 ns

系列: CSD17308Q3

工厂包装数量: 2500

商标名: NexFET

晶体管类型: 1 N-Channel