C3M0065090DMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm

2016-3-8 11:55:00
  • 本公司专营:ON TI NXP MAXIM ALTERA XILINX ADI MICRON 现代 保证原装进口假一罚十 联系人李先生 18320841243

制造商: Cree, Inc.

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 36 A

Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 18 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 30.4 nC

最大工作温度: + 150 C

技术: SiC

封装: Tube

通道模式: Enhancement

商标: Wolfspeed / Cree

配置: Single

下降时间: 25 ns

正向跨导 - 最小值: 11.6 S

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 125 W

上升时间: 36 ns

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 21 ns 联系人电话 18320841243 QQ 2873141355