简介：
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：594.3pF @ 10V
功率 - 最大：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：DMN2075U-7DITR
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