Infineon OptiMOS™ 5功率MOSFET设计用于同时满足提升系统效率和降低系统成本需求，能够实现远低于同类器件的RDS(on)和品质因数（RDS(on) x Qg）。该系列MOSFET采用全新的硅技术，并且经优化可满足并超越当前能源效率和功率密度方面的需求。典型应用包括电脑行业中的服务器、数据通信和客户端应用、开关电源（SMPS）中的同步整流，以及电机控制、太阳能微型逆变器和快速切换DC/DC转换器应用。
25V & 30V
40V & 60V
80V & 100V
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Infineon OptiMOS™ 5 25V和30V功率MOSFET基准解决方案在待机和完整工作模式下，皆可实现最高功率密度和能源效率。该系列MOSFET采用全新的硅技术，并且经优化可满足并超越能源效率和功率密度方面的需求，同时还遵循DC/DC应用的新一代最严格稳压标准。OptiMOS™ 5产品能满足电脑行业中的各种稳压应用，包括服务器、数据通信和客户端应用，以及Intel的VR和IMVP平台。
Infineon OptiMOS™ 5 25V and 30V Power MOSFETs
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特性 业内最佳导通电阻
基准开关性能（最低品质因数 Ron x Qg和Ron x Qgd）
符合RoHS标准，不含卤素
优化的EMI性能（ 集成式缓冲阻尼网络）
最高效率
S3O8或Power Block封装，实现了最高功率密度
降低系统总成本
高开关频率
