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分立半导体产品家庭IGBT - 模块系列-IGBT 类型沟道和场截止配置单一电压 - 集射极击穿（最大值）1700V电流 - 集电极（Ic）（最大值）75A功率 - 最大值312W不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.4V @ 15V，50A电流 - 集电极截止（最大值）250μA不同 Vce 时的输入电容（Cies）4.4nF @ 25V输入标准NTC 热敏电阻是安装类型底座安装封装/外壳SP1供应商器件封装SP1
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