IRFR9024N详细资料：
标准包装 2,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 11A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 175 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 350pF @ 25V
功率 - 最大值 38W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
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