型号：IRS2011STRPBF
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：34nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：800pF @ 25V
功率 - 最大：79W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRLR3410PBFTR
标准包装：2,000
批号：2014+
封装：TO-252
数量：29800
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列，授权分销，IR原厂直销，品质保证，现货库存热卖IRS2011 IRLR3410TRPBF，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
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朱小玲
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