型号：IRLMS1902TRPBF
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 2.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：300pF @ 15V
功率 - 最大：1.7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRLMS1902PBFTR
标准包装：3,000
封装：SOT-23
数量：25600
单价：面议
描述：第五代HEXFET®从功率MOSFET国际整流器利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻元硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET®功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常有效和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。该Micro6 ™封装，其引脚框定制产生HEXFET®功率MOSFET为RDS （ ON）60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是其中，印刷电路板空间应用的理想选择是十分宝贵的。它独特的散热设计和RDS （ ON）能减少将近电流处理增加300％相比， SOT-23 。
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管，公司授权分销IR，现货库存供应IRLMS1902 IRLMS1902TRPBF，正品原装，品质保证，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
特点：
•第五代技术
•Micro6封装形式
•超低RDS （ ON）
•N沟道MOSFET
•LEAD -FREE
深圳市勤思达科技有限公司
联系人：朱小玲
联系电话：0755-82710921
