IRF640NPBF 现货，优势库存，低价销售，军工，集成电路IC

IRF640NPBF

功能描述：

MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

RoHS：

否

制造商：

STMicroelectronics

晶体管极性：

N-Channel

汲极/源极击穿电压：

650 V

闸/源击穿电压：

25 V

漏极连续电流：

130 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：

0.014 Ohms

配置：

Single

最大工作温度：

安装风格：

Through Hole

封装 / 箱体：

Max247

封装：

Tube