产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 52 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 89 S, 44 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 125 W
上升时间: 17 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GXT SP000657440
