基本参数：
品牌：IR
封装：TO-220
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 毫欧 @ 75A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：130A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：250nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：7670pF @ 50V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRFB4310PBF
联 系 人：夏先生 朱小姐
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