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BUZ30A

2024-2-18 9:00:00
  • 场效应管 MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 21A 漏源电压, Vds: 200V 在电阻RDS(上): 130mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 3V 功耗 Pd: 125W 工作温度最小值: -

场效应管 MOSFET N TO-220

晶体管极性: N沟道

电流, Id 连续: 21A

漏源电压, Vds: 200V

在电阻RDS(上): 130mohm

电压 @ Rds测量: 10V

阈值电压 Vgs: 3V

功耗 Pd: 125W

工作温度最小值: -55°C

工作温度最高值: 150°C

晶体管封装类型: TO-220AB

针脚数: 3

MSL: -

单脉冲雪崩能量 Eas: 450mJ

器件标记: BUZ30A

工作温度范围: -55°C 至 +150°C

引脚节距: 2.54mm

总功率, Ptot: 125W

时间, trr 典型值: 180ns

晶体管数: 1

温度 @ 电流测量: 26°C

满功率温度: 25°C

漏极电流, Id 最大值: 21A

电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V

电压, Vds 典型值: 200V

电压, Vgs 最高: 20V

电容值, Ciss 典型值: 1400pF

电流, Idm 脉冲: 84A

表面安装器件: 通孔

通态电阻 @ Vgs = 10V: 130mohm

针脚格式: 1G, (2+Tab)D, 3S

针脚配置: a

阈值电压, Vgs th 最低: 2.1V

阈值电压, Vgs th 最高: 4V

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