摘要： 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。
关键字： 便携应用, 器件, 电池
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。
特性和优势
FDMA905P:
· 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封装，器件高度 – 最大0.8mm
· 确保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A)
· 具有出色的散热性能(RΘJA = 52 ℃/W)
FDME905PT:
· 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封装，器件高度 – 最大0.55mm
· 确保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A)
· 具有出色的散热性能(RΘJA = 60 ℃/W)
