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INA231AIYFFT	文件：1.27131 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA231BIYFDR	文件：1.27589 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA231BIYFDT	文件：1.27589 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IQS231	文件：1.43264 Mbytes Page：37 Pages	SingleChannelCapacitiveProximity/TouchControllerforSARapplications	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IQS231A	文件：1.45369 Mbytes Page：36 Pages	IntegratedSARuserinterfaceofferingasimpleGPIOoutput	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRA-231	文件：156.63 Kbytes Page：1 Pages	AluminumRackCabinet	SOVICO SOVICO corp.	SOVICO
IRF231	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF231	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF231	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF231	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
INA231AIYFDT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 电流调节/管理
包装：
卷带（TR）
功能：
电流监控器
感应方法：
高/低端
精度：
±0.5%
电压 - 输入：
0V ~ 28V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
12-XFBGA，DSBGA
供应商器件封装：
12-DSBGA（1.65x1.39）
描述：
IC CURRENT MONITOR

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更多INA231AIYFDT供应商更新时间2025-5-29 13:43:00

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