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IRFR214	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR214	文件：853.62 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR214	文件：331.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR214	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR214	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR214,SiHFR214) •Straightlead(IRFU214,SiHFU214) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR214A	文件：321.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR214B	文件：647.48 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR214PBF	文件：2.14295 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET HEXFET®PowerMOSFET •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR214) •StraightLead(IRFU214) •AvailableinTape&Reel •FastSwitching •EaseofParalleling •Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFR214PBF	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR214PBF	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
INA214BIRSWT
制造商：
Texas Instruments
功能描述：
Revision B of existing INA214BIRSW

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	INA214BIRSWT	Texas Instruments	24+	10-UFQFN	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	INA214BIRSWT	TI(德州仪器)	2022+原装正品	UQFN-10(1.8x1.4)	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
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更多INA214BIRSWT供应商更新时间2025-5-10 17:53:00

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