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BSP149	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP149	文件：3.04397 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES Vos=200V Ib=10A@Ves=10V Rosion)£1.35Q@Ves=10V SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS149	文件：279.2 Kbytes Page：6 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) SIPMOS®Small-SignalTransistor ●VDS200V ●ID0.35A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BT149D	文件：316.01 Kbytes Page：13 Pages	SCR	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
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BT149G	文件：316.12 Kbytes Page：13 Pages	SCR	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BTS149	文件：309.41 Kbytes Page：10 Pages	SmartLowsidePowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETinSmartSIPMOS®chiponchiptechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectedfunctions. Features •LogicLevelInput •InputProtection(ESD) •Thermalshutdownwithlatch •Overloadprotection •Shortcircuitprotection •Overvoltagepro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
INA149AIDR
功能描述：
差分放大器 High Common Mode Vltg Diff Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 Channel
带宽：
2.4 GHz
可用增益调整：
6 dB to 26 dB
共模抑制比（最小值）：
- 40 dB
工作电源电压：
4.75 V to 5.25 V
电源电流：
100 mA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
WQFN-24
封装：
Reel

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更多INA149AIDR供应商更新时间2024-4-30 11:00:00

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