IMZC120R026M2H中文资料CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V G2，采用 TO-247 4 引脚高爬电距离封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

1200 V、26 mΩ G2 采用 TO-247 4 引脚高爬电封装，在第一代技术的优势基础上进行了重大改进，为成本更优化、高效、紧凑、易于设计和可靠的系统提供了先进的解决方案。它增强了所有常见 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合的硬开关操作和软开关拓扑的性能。

特性 Features

• RDS(on) = 26 mΩ（VGS = 18 V、Tvj = 25°C）

• 极低的开关损耗

• 最大更宽。VGS范围从 -10 V 至 +25 V

• 过载运行最高可达 Tvj = 200°C

• 短路耐受时间 2 µs

• 基准栅极阈值电压 4.2 V

• 具有抗寄生开启能力

• .XT互连技术

• 更严格的 VGS(th) 参数分布

应用 Application

• 电动汽车充电