650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效

\n优势:\n• 高性能、高可靠性和易用性\n• 实现高系统效率\n• 降低系统成本和复杂性\n• 减小系统尺寸\n• 适用于具有硬换向事件的拓扑\n• 适用于高温和恶劣的运行条件\n• 实现双向拓扑;

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丝印：65R057M1；Package：PG-TO247-4-3；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib

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650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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